刚刚星球里有位星友抛出一个问题并发了张拆解图：

化成满充还正常，结果循环才跑了 50 圈，容量直接高台跳水。

拆解一看，负极片边缘出现了一圈从 Overhang 区域向中心扩散的嵌锂不足。循环跳水后，负极厚度膨胀10%，ACR直接翻了两倍。

这位星友做了不少对策，比如怀疑正极脱落问题，把剥离强度从 12N/m 强行拉到 30N/m。结果呢？高温循环也就从 600 圈挪到了 800 圈，该跳水还是跳水。

可能觉得暂时有点找不到方向，寻求帮助。

我给的方向是分 3 步走：先看现象，分析找原因，再想对策。

观察现象，负极嵌锂不足，形成相框效应。容量跳水，排除水分侵入，也不是正极剥离问题。

咱们可以分析一下：既然观察到嵌锂不足，那么肯定能明白，嵌锂的本质是缺少锂，锂离子游不过去，为什么呢？要么正极设计很小，本来就没锂（比如OH造成的，这种是正常的。但你的是逐渐扩散，看图片就不止1.5mm）。要么没有电解液。传输通道断了。显然是后者。 而如果边缘嵌锂不足，边缘就是死区，实际工作面积只有原来的0.8。如果你仍然按照1C充电，对于中间部分，它实际受到的电流密度就变成了1.25C。 局部极化的后果，就是把负极的电位拉到0V以下。原本金黄的区域因为局部过充，就开始析锂。析锂堵塞通道孔隙，死区更多，然后就是恶性循环。这也就是你循环上不去，容易跳水的根本原因。

正常4%，而循环跳水前负极厚度膨胀能达到10%，加上50cyc就跳水的现象，虽然这位星友没说，但我可以推测大概率用的是硅负极（因为石墨正常不会超过10%）。

大家都知道硅这玩意容易膨胀，但边缘明显没给它太多膨胀空间，它膨胀的过程中，直接把边缘孔隙锁死了，等于电解液通道被它自己给断了。

硅颗粒在反复膨胀收缩过程中，容易破碎，破碎后的硅颗粒与导电剂失去接触，变成“死硅”。硅表面SEI膜极其不稳定，每圈都在破裂重修，电解液消耗速度也远比石墨快。所以ACR中的离子通路断了，ACR就飙升，等电解液消耗完，容量一样会跳水。

基于上述的分析结果，我们的逻辑已经闭环了。

金色相框->嵌锂不足->电解液不足->SEI膜过量消耗->硅颗粒破碎->边缘空间不足->反应为嵌锂不足

原因可能是：

1：热压过量，把边缘压太死了。2.电极片边缘太厚(这是很正常的，可以找一下我之前在星球发过的一张我称之为“狗骨头”的涂布边缘图。）

改善前，需要进行验证：

可以分别取两种样品：1.未注液的负极，量厚度，如果边缘厚，更容易被压实；2.热压工序贴一张感压纸，如果边缘是两条红线，那么确实热压压力集中到了边缘。

如果验证出来确实如此，那解决办法就容易了： 1.涂布削薄；2.热压板加橡胶垫；3.降低整体压实密度。

当然，锂电失效往往是多因一果。在原因排查过程中，我们最好通过剥离强度测试排查正极掉粉，通过原位气量监测排除气袋影响。但根据这 10% 的膨胀数据和相框形态，如果我是这个项目的负责人，我会第一优先去查那台热压机。

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关于这个‘相框’，如果你有不同的诊断方案（比如认为是 N/P 比失衡或气袋问题），欢迎在留言区留言。做技术的不要怕错，怕的是逻辑不闭环。

这种干货实战案例，我每天都在星球里拆解，欢迎进场，咱们聊个透。